东芝面向快速充电器推出支持4.5V逻辑电平驱动的100V N沟道功率MOSFET

Toshiba: 100V N-Channel Power MOSFET Supporting 4.5V Logic Level Drive for Quick Chargers (Photo: Business Wire)

Toshiba: 100V N-Channel Power MOSFET Supporting 4.5V Logic Level Drive for Quick Chargers (Photo: Business Wire)

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东京--()--(美国商业资讯)--东芝公司(TOKYO:6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布面向快速充电器推出支持4.5V逻辑电平驱动的100V N沟道功率MOSFET,以此扩大其低电压N沟道功率MOSFET的产品阵容。“U-MOS VIII-H系列”的两款新MOSFET分别是“TPH4R10ANL”和“TPH6R30ANL”,产品出货即日启动。

随着快速充电器的普及和发展,市场需要更高性能的用于次级侧整流器的功率MOSFET。这些新的MOSFET利用东芝低电压沟槽结构工艺,实现了业界领先的[1]低导通电阻和高速性能。该结构降低了“RDS(ON) * Qsw”[2]的性能指标,改善了开关应用。通过减小输出电荷,实现输出损耗改善,有助于提高装置效率。而且,对4.5V逻辑电平驱动的支持使控制器IC无缓冲驱动成为可能,有助于降低系统功耗。此外,这些新产品可应对USB 3.0相关应用所需的高输出和高电压电源。新的MOSFET适合于一系列应用,包括服务器和通信设备所需的快速充电器、开关式电源以及直流-直流转换器等。

 
新MOSFET的主要特性:
(除非另作说明,Ta=25℃)    
产品型号   极性   绝对
最大额定值
  漏源极
导通电阻
RDS(ON)最大值
(mΩ)
  栅极

电荷
Qg典型值
(nC)
  输出
电荷
Qoss典型值
(nC)
  栅极开关
电荷Qsw
典型值
(nC)
  输入
电容
Ciss典型值
(pF)
  封装

源极
电压
VDSS (V)
  漏极
电流
(DC)
ID (A)
@Tc =
25℃
@VGS=
10 V
  @VGS=
4.5 V
TPH6R30ANL N沟道 100 45 6.3 10.3 55 46 14 3300 SOP
Advance
TPH4R10ANL       70   4.1   6.6   75   74   21   4850  
 

主要特性

・支持4.5V逻辑电平驱动
・支持低导通电阻和高速性能的业界领先[1]产品

 

[1]   在具有相同额定功率的产品类别中,截至2017年1月11日。东芝调查。
[2] RDS(ON):漏源极导通电阻
Qsw:栅极开关电荷
 

有关新产品和东芝低电压功率MOSFET产品阵容的更多信息,请访问如下链接:
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/product/mosfet/lv-mosfet.html

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电话:+81-3-3457-3933
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关于东芝

东芝公司是一家《财富》全球500强公司,致力于将其在先进电子和电气产品及系统方面的一流能力运用于三大重点业务领域:更为清洁和安全的维持日常生活的能源业务;保持生活质量的基础设施业务;以及实现先进的信息社会的存储业务。在东芝集团的基本承诺“为了人类和地球的明天”的指引下,东芝竭力推动全球业务,并致力于实现一个让子孙后代可以享有更加美好的生活的世界。

东芝于1875年在东京成立,如今已成为一家有着550家附属公司的环球企业,全球拥有超过188,000名员工,年销售额逾5.6万亿日元(500亿美元)。(截至2016年3月31日。)
有关东芝的更多信息,请访问www.toshiba.co.jp/index.htm

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